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  1. x Effektiver Speichertakt: 1600 MHz
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Hersteller
  1. Lenovo
  2. Transcend
  3. V7
Typ
  1. Speicher
Speicherkapazität
  1. 16 GB
  2. 32 GB
Speichertyp
  1. DDR3
  2. DDR3L
Anzahl Pins
  1. 204-Pin
  2. 240-Pin
Effektiver Speichertakt
Fehlerkorrektur
  1. ECC
  2. non-ECC
Speichermodul-Bauform
  1. DIMM
  2. SO-DIMM
Speicher-Timing
  1. 1600 MHz / PC3-12800
  2. CL11
Betriebsspannung
  1. 1,35 V
  2. 1,5 V
Anzahl Speichermodule
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Speicherbausteine

  2. 1

In absteigender Reihenfolge
  1. Lenovo DDR3 - Modul - 16 GB - DIMM 240-PIN

    Lenovo DDR3 - Modul - 16 GB - DIMM 240-PIN

    Hersteller-Nr.: 0A89483

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    Details

    1600 MHz / PC3-12800 - registriert - ECC - für ThinkServer RD330; RD430; RD530; RD630
  2. Transcend JetMemory - DDR3 - kit - 16 GB: 4 x 4 GB - SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - ungepuffert - non-ECC - für Apple iMac 27" (Late 2012)

    Transcend JetMemory - DDR3 - kit - 16 GB: 4 x 4 GB - SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - ungepuffert - non-ECC - für Apple iMac 27" (Late 2012)

    Hersteller-Nr.: TS16GJMA524H

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    Details

    SO-DIMM
  3. Transcend JetMemory - DDR3 - kit - 32 GB: 4 x 8 GB

    Transcend JetMemory - DDR3 - kit - 32 GB: 4 x 8 GB

    Hersteller-Nr.: TS32GJMA524H

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    Details

    SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - ungepuffert - non-ECC
  4. Transcend JetMemory - DDR3L - kit - 16 GB: 4 x 4 GB

    Transcend JetMemory - DDR3L - kit - 16 GB: 4 x 4 GB

    Hersteller-Nr.: TS16GJMA584H

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    Details

    SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - ungepuffert - non-ECC
  5. Transcend JetMemory - DDR3L - kit - 32 GB: 4 x 8 GB

    Transcend JetMemory - DDR3L - kit - 32 GB: 4 x 8 GB

    Hersteller-Nr.: TS32GJMA584H

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    Details

    SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - ungepuffert - non-ECC
  6. V7 DDR3 - Modul - 32 GB - DIMM 240-PIN - 1600 MHz / PC3-12800

    V7 DDR3 - Modul - 32 GB - DIMM 240-PIN - 1600 MHz / PC3-12800

    Hersteller-Nr.: V71280032GBR

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    Details

    registriert - ECC
  2. 1

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